DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的半导体制造工艺，在80V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的电气性能与热管理能力。

该MOSFET在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为9A，而在管壳温度下可高达65A，展现了其强大的电流处理潜力。其关键特性在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和12A漏极电流条件下，最大值仅为17毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为34nC，这些参数共同确保了快速、高效的开关性能，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的驱动容限。其输入电容（Ciss）在40V漏源电压下最大为1949pF。热性能方面，其最大功率耗散在环境温度下为2.1W，在管壳温度下可达113W，结合其表面贴装（SMD）形式和宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C），使其能够适应严苛的应用环境并保证长期可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及完整的技术支持。

基于其优异的电气规格和热性能，DMT8012LPS-13非常适用于对效率和空间有严格要求的功率转换场景。典型应用包括但不限于DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，以及各类工业电源和消费电子产品的电源管理模块。其设计旨在帮助工程师在提升功率密度的同时，有效控制系统温升和能量损耗。

• 型号:DMT8012LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1949 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），113W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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