DMTH10H009LPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMTH10H009LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元设计和沟道结构，在保证高耐压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而有效减少了开关损耗和传导损耗，提升了整体能效。其设计充分考虑了热管理与电气性能的平衡，为高功率密度应用提供了可靠的半导体解决方案。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其漏源极击穿电压（Vdss）高达100V，确保了在多种中高压应用场景下的稳定工作。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为8毫欧，这一极低的导通电阻是实现高效率电能转换的关键。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流逻辑电平控制器轻松兼容，简化了驱动电路设计。此外，低至40.2nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，进一步降低开关损耗。

该MOSFET封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内，这种封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的引脚布局和封装结构也提供了出色的散热能力，使得器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达14A，而在管壳温度（Tc）条件下更能承受高达100A的电流。其最大功率耗散在管壳温度下达到125W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的高可靠性运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关能力以及优异的散热性能，DMTH10H009LPS-13非常适合于要求高效率和高功率密度的应用领域。典型应用包括但不限于服务器和通信设备的DC-DC电源转换模块、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类工业电源中的同步整流和负载开关。其稳健的设计使其成为工程师在开发下一代高效能电子系统时的理想功率开关选择。

• 型号:DMTH10H009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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