DMTH10H009SPS-13

Diodes Incorporated推出的DMTH10H009SPS-13是一款采用先进沟槽工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。该器件采用热性能优异的PowerDI5060-8封装，其紧凑的表面贴装设计不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构更利于热量从芯片结温（TJ）向环境（Ta）或外壳（Tc）高效传递，为高功率密度应用提供了可靠的散热基础。

在电气特性方面，该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于常见的48V或更低电压的工业与汽车总线系统。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下典型值仅为8.9毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通压降和功率耗散。同时，最大栅极电荷（Qg）低至30nC，结合±20V的宽泛栅源电压耐受范围，意味着驱动电路的设计更为简便，能够实现快速开关并减少驱动损耗，这对于高频开关电源和电机驱动等应用至关重要。

该器件的电流处理能力突出，在25°C外壳温度（Tc）下连续漏极电流高达88A，即便在环境温度（Ta）下也支持16A的连续电流，展现了强大的功率承载潜力。其输入电容（Ciss）与栅极电荷的优化平衡，确保了开关响应迅速且可控。宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应严苛的环境，满足工业自动化、通信基础设施及汽车电子等领域对高可靠性的要求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购是确保产品正宗与供应链安全的关键。

综合其参数表现，DMTH10H009SPS-13非常适合作为同步整流、DC-DC转换器中的主开关或电机控制中的H桥臂功率元件。其低Rds(On)和高电流能力使其在服务器电源、电动工具、电池管理系统及车载充电器等需要高效率、高功率密度的场景中成为理想选择。PowerDI5060封装确保了在空间受限的设计中也能实现卓越的电气与热性能，为工程师提供了兼具性能与可靠性的功率开关解决方案。

• 型号:DMTH10H009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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