DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用成熟的平面MOSFET技术，封装于标准的TO-220AB通孔封装内。其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡，内部采用优化的单元结构和先进的沟槽工艺，有效降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），从而在导通状态下显著减少了功率损耗和热量产生。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为开关电源的初级侧或电机驱动等应用提供了充足的电压裕量。在25°C壳温（Tc）条件下，连续漏极电流（Id）额定值可达108A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在Vgs=10V， Id=13A时，Rds(on)最大值仅为9.5mΩ，这一低阻值特性是实现高效率转换的关键。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V，与标准逻辑电平驱动兼容，而栅极电荷（Qg）最大值控制在53.7nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗并提升开关频率潜力。

在接口与参数方面，该MOSFET设计稳健。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了栅极驱动的鲁棒性。输入电容（Ciss）在Vds=50V时最大值为2592pF，是评估开关动态性能的重要参数。器件的热性能同样可靠，在环境温度（Ta）下最大功耗为2.4W，而在壳温（Tc）条件下最大功耗可达166W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），确保了在严苛环境下的稳定运行。标准的TO-220AB封装便于安装散热器，优化了热管理。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取正品器件和技术支持。

基于其高电压、大电流和低导通电阻的组合，DMTH10H010LCT非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器的高/低侧开关、电机驱动控制器（如无刷直流电机驱动）、以及不间断电源（UPS）和逆变器系统中的功率开关。其坚固的设计也使其成为汽车电子（如泵类驱动、加热控制）等恶劣环境下应用的潜在选择。

• 型号:DMTH10H010LCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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