DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装，专为要求严苛的汽车电子及高效电源应用而设计。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心优势在于通过优化的芯片架构与封装工艺，在紧凑的占位面积内实现了极低的导通电阻与出色的热管理能力。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为其在48V汽车系统、DC-DC转换器及电机驱动等场景中提供了充足的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压（Vgs）下典型值仅为8.8毫欧（@13A），这一关键参数直接决定了开关状态下的功率损耗水平，对于提升系统整体效率至关重要。同时，最大栅极电荷（Qg）低至56.4nC，结合较低的输入电容（Ciss），显著降低了驱动电路的负担，有利于实现更高频率的开关操作并减少开关损耗。

在电气参数方面，该器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为11.8A，而在借助封装良好散热（Tc）条件下，电流能力可大幅提升至123A，这凸显了PowerDI5060封装卓越的热性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，具备良好的噪声免疫能力。器件支持±20V的最大栅源电压，提供了宽泛且安全的驱动电压范围。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境的可靠性要求。对于需要稳定供货与技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及符合AEC-Q101标准的可靠性，DMTH10H010SPS-13非常适用于车载充电器（OBC）、电池管理系统（BMS）中的负载开关、电机控制模块、LED驱动以及工业电源中的同步整流和负载点（POL）转换等应用。其表面贴装型封装也适应了现代电子设备高密度PCB布局的发展趋势。

• 型号:DMTH10H010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.8A（Ta），123A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.8 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4468 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH10H010SPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。