DMTH10H015SPSQ-13

DMTH10H015SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为优化热性能和功率密度而设计的紧凑型表面贴装封装，其低热阻特性为芯片在高温环境下的稳定运行提供了坚实基础。其金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过精细的沟道设计，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中减少了导通损耗和开关损耗。

该MOSFET的显著特性体现在其优异的电气参数上。其漏源电压额定值为100V，能够满足多种中压应用场景的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达8.4A，而在管壳温度为25°C时，该值更是高达50.5A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为14.5毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压最大值为4V，栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为30.1nC，这些参数共同优化了驱动电路的复杂度和开关速度。

在接口与参数方面，该器件支持高达±20V的栅源电压，为驱动设计提供了充足的裕量。其输入电容在50V漏源电压下最大为2343pF，是评估开关动态性能的关键参数。该MOSFET符合AEC-Q101标准，属于汽车级产品系列，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的长期可靠性。其最大功率耗散在环境温度下为1.5W，在管壳温度下可达55W，这得益于PowerDI5060封装卓越的散热能力。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理获取该产品及相关技术支持。

基于其高可靠性、高效率和高功率密度，DMTH10H015SPSQ-13非常适用于要求严苛的汽车电子应用，如电机驱动、LED照明、电池管理系统中的负载开关以及DC-DC转换器。此外，其在工业电源、通信设备及消费类电子产品的电源管理模块中，同样能发挥出色的性能，是实现紧凑、高效电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMTH10H015SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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