DMTH10H025LK3-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，DMTH10H025LK3-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在TO-252（D-Pak）表面贴装封装内实现了低导通电阻与高电流处理能力的平衡，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至22毫欧（在20A条件下测试），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为21nC @ 10V，结合1477pF @ 50V的输入电容（Ciss），意味着开关过程中所需的驱动能量较小，有利于实现高速开关并降低驱动电路的损耗，对于提升开关电源的频率和功率密度至关重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为3V，与4.5V的最小推荐驱动电压提供了充足的噪声容限，增强了抗干扰能力。

DMTH10H025LK3-13的额定漏源电压（Vdss）为100V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达51.7A，展现了强大的功率处理能力。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，为驱动设计提供了灵活性。尽管采用紧凑的TO-252封装，其最大功率耗散能力在环境温度（Ta）下为3.1W，通过合理的PCB散热设计可以充分发挥其性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其优异的电气参数和汽车级认证，这款MOSFET非常适用于对可靠性和效率有高要求的应用场景。它常被用作DC-DC转换器、电机驱动控制器中的主开关或同步整流元件，特别是在车载充电器（OBC）、电动助力转向（EPS）、LED驱动以及工业电源等系统中，能够有效管理功率流，提升整体能效和功率密度。

• 型号:DMTH10H025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 51.7A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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