DMTH10H025LPSQ-13

DMTH10H025LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装，专为要求高可靠性和高效率的汽车及工业应用而设计。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构优化了单元密度与导通电阻（Rds(on)）的平衡，在紧凑的封装内实现了出色的电流处理能力和较低的开关损耗，为系统设计师提供了高功率密度的解决方案。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至23毫欧（@20A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为21nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗显著降低，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动控制器。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达100V的漏源电压（Vdss）额定值，确保了在严苛环境下的稳定运行和足够的电压裕量。

在接口与关键参数方面，DMTH10H025LPSQ-13在25°C环境温度下可连续承受9.3A的漏极电流，而在管壳温度为25°C时，这一数值可高达45A，展现了其卓越的热性能和电流承载能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或栅极驱动器的良好兼容性，同时±20V的最大栅源电压提供了稳健的栅极保护。表面贴装的PowerDI5060-8封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的热设计也有助于将内部产生的热量高效地传导至电路板，最大结温下的功率耗散可达79W（Tc）。

得益于其汽车级（Automotive）认证和强大的性能参数，该MOSFET非常适合应用于对可靠性要求极高的领域。主要应用场景包括汽车系统中的负载开关、电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动以及工业电源中的同步整流和OR-ing功能。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品的完整技术资料、样品以及批量采购支持，以确保设计项目的顺利推进和量产稳定性。

• 型号:DMTH10H025LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.3A（Ta），45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1477 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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