DMTH3004LFG-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMTH3004LFG-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于成熟的N通道设计，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在各种严苛环境下的可靠性。其表面贴装型PowerDI3333-8封装不仅优化了PCB空间利用率，还通过增强的热性能设计，有效提升了功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散可达50W。

在电气性能方面，该器件展现出卓越的低导通损耗特性。其最大导通电阻在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下仅为5.5毫欧，这一关键参数直接决定了开关过程中的传导损耗水平，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷最大值被控制在44nC，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，意味着器件具备快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计。其高达±16V的栅源电压耐受能力，也为驱动电路提供了更宽的安全裕度。

该MOSFET的额定漏源电压为30V，适用于中低电压应用场景。其电流承载能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流为15A，而在壳温条件下则可高达75A，这使其能够处理较大的瞬态和持续电流。此外，其阈值电压最大值为3V，提供了良好的噪声抑制能力，有助于防止误开启。输入电容最大值在15V漏源电压下为2370pF，这一参数与栅极电荷共同影响着开关动态性能。如需获取官方技术支持和可靠供货渠道，建议通过DIODES授权代理进行采购。

综合其技术参数，DMTH3004LFG-13非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关，特别是在服务器、通信设备及工业电源的中间总线架构中。其优异的性能也使其成为电机驱动、电池管理系统（BMS）中充放电控制以及各类便携式设备电源管理的理想选择，能够帮助设计工程师实现更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:DMTH3004LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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