DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在Vgs为10V、Id为20A的条件下，Rds(on)最大值仅为4毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，尤其在高电流开关应用中至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在44nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，实现快速、高效的开关动作。

在电气参数方面，器件额定漏源电压（Vdss）为30V，能够满足多种低压电源和功率转换场景的需求。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为21A，而在管壳温度（Tc）条件下可达75A，展现了强大的峰值电流承载潜力。驱动电压范围兼容常见的逻辑电平与标准驱动，栅源电压（Vgs）最大耐受值为+20V/-16V，为设计提供了充足的裕量。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号及全面的技术支持。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和稳健的封装，DMTH3004LK3-13非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理模块。其表面贴装形式也使其能很好地适应现代自动化贴装生产流程，是空间受限且对性能有要求的紧凑型电子设备的理想选择。

• 型号:DMTH3004LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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