DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13是一款由Diodes Incorporated推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种专为高功率密度和卓越散热性能而优化的表面贴装型封装，其紧凑的占板面积使其非常适合于空间受限的现代电子设计。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在Vgs为10V、Id为20A的条件下，其Rds(On)最大值仅为3.8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率，尤其在处理大电流时优势显著。其驱动特性同样出色，最大栅极电荷(Qg)为43.7nC @ 15V，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其易于被常见的控制器驱动。器件具备30V的漏源击穿电压(Vdss)，并在不同结温下提供高达22A（环境温度）或145A（壳温）的连续漏极电流能力，展现了强大的电流处理性能。

在电气参数方面，DMTH3004LPSQ-13的栅源阈值电压Vgs(th)最大值为3V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。其最大输入电容(Ciss)为2370pF @ 15V。器件的栅源电压(Vgs)可承受+20V和-16V的极限值，提供了宽裕的安全设计余量。其最大功率耗散在壳温条件下可达136W，结合PowerDI5060封装优异的导热路径，能够有效管理热负荷。该器件的工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。

凭借其符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，该器件主要面向要求高可靠性的汽车电子应用，如电机驱动、负载开关、电池管理系统（BMS）中的保护电路以及DC-DC转换器。同时，其高性能也适用于工业电源、服务器电源和各类便携式设备中的电源管理模块。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取此产品及相关设计资源。

• 型号:DMTH3004LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），145A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.7 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:+20V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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