DMTH32M5LPS-13

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下PowerDI5060-8封装系列中的高性能代表，DMTH32M5LPS-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和低阻抗金属化工艺，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。该器件在硅片层面进行了精细化处理，确保了在高温和高电流应力下的长期可靠性，为电源管理应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的功能特性突出体现在其卓越的电气参数上。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs、30A Id条件下仅为2.2毫欧，这一极低的数值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在68nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度和更低的开关噪声，这对于高频开关电源和电机驱动电路至关重要。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±16V，提供了稳健的驱动安全裕度。

在接口与关键参数方面，DMTH32M5LPS-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss），适用于常见的12V或24V总线系统。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达170A，展现出强大的电流处理能力。该器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散在壳温（Tc）条件下可达100W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理渠道获取此产品及相关设计资源。

凭借其高电流、低损耗和快速开关的特性，DMTH32M5LPS-13非常适合于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的同步整流和DC-DC转换器，特别是那些采用多相降压拓扑的CPU/GPU供电模块（VRM）。此外，它也适用于电机驱动控制（如无人机、电动工具中的无刷直流电机驱动）、电池保护开关电路以及需要高效率负载开关的各类便携式设备与工业电源系统中。

• 型号:DMTH32M5LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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