DMTH4001SPS-13

DMTH4001SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件设计用于在严苛的功率管理应用中提供卓越的效率和可靠性，其核心架构优化了电流承载能力与开关性能的平衡。其N沟道设计确保了在正向导通时具有较低的损耗，而优化的芯片布局和封装技术有效管理了热性能，使其能够在高功率密度场景下稳定运行。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、30A漏极电流条件下，Rds(On)典型值仅为1毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在187nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关应用至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）以及高达187.5W（Tc）的功率耗散能力，赋予了它出色的热稳定性和鲁棒性。

在电气参数方面，DMTH4001SPS-13的漏源电压(Vdss)额定为40V，连续漏极电流(Id)在壳温条件下高达100A，能够处理可观的功率等级。其栅源电压(Vgs)最大耐受值为±20V，提供了安全的驱动裕量。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8（K类）封装，这种封装不仅节省PCB空间，还通过裸露的散热焊盘优化了热传导路径，便于将热量高效散发至电路板。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，DMTH4001SPS-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及各类工业电源中的同步整流和功率分配模块。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件。

• 型号:DMTH4001SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:187 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14023 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.09W（Ta），187.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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