DMTH4004SK3Q-13

DMTH4004SK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，构建于优化的垂直沟道架构之上。其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能，通过精密的晶圆工艺和封装技术，在紧凑的TO-252-4L（DPAK）封装内集成了高电流处理能力，为高密度电源和电机驱动应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压、90A漏极电流条件下，典型值仅为3.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在68.6nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升开关频率，使得它在需要快速开关的PWM控制电路中表现优异。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达180W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取正品器件和技术支持。

在电气接口与参数方面，DMTH4004SK3Q-13具备40V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达100A（Tc）的连续漏极电流，为负载提供了充足的裕量。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动兼容性。器件采用表面贴装型TO-252-4L封装，该封装不仅提供了良好的散热性能，其第四引脚（Kelvin源极）连接有助于实现更精确的栅极驱动和更低的开关噪声，特别有利于高频开关应用。

凭借其车规级认证和高性能指标，此器件主要面向对可靠性和效率有严格要求的汽车电子领域，例如电动助力转向（EPS）、电机控制、电池管理系统（BMS）中的负载开关以及DC-DC转换器。此外，在工业自动化、大电流电源模块和电动工具等应用中，它同样是实现高效功率切换和控制的理想选择。

• 型号:DMTH4004SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.2 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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