DMTH4004SPSQ-13

DMTH4004SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件构建于优化的半导体工艺平台之上，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。其结构经过精心优化，以在紧凑的封装内提供强大的电流处理能力和高效的散热路径，这对于现代高密度电源设计至关重要。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、90A电流条件下，Rds(On)最大值仅为2.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在68.6nC @ 10V，有助于减少开关过程中的损耗，提升高频开关应用的性能。其漏源电压(Vdss)额定值为40V，连续漏极电流在环境温度下可达31A，在管壳温度下更是高达100A，展现出强大的功率处理能力。

在电气参数方面，DMTH4004SPSQ-13的栅源电压(Vgs)最大可承受±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容(Ciss)最大值为4305pF @ 25V，与其他参数共同决定了器件的动态开关特性。该MOSFET采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，此封装以其优异的热性能著称，最大功率耗散在管壳温度下可达167W，工作结温范围宽达-55°C至175°C，保证了器件在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的封装热性能，这款MOSFET非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场景。其主要应用领域包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类电源管理模块中的同步整流和负载开关。对于寻求可靠元器件供应链的工程师，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取详细的技术支持和采购服务。

• 型号:DMTH4004SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4305 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.6W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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