DMTH4005SPSQ-13

DMTH4005SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性。该器件采用PowerDI5060-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，具有优异的热性能和功率处理能力，其底部的大面积裸露焊盘确保了高效的散热路径，这对于维持高电流下的稳定运行至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。其漏源电压额定值为40V，能够满足多种中低压应用场景的需求。在导通特性方面，在10V驱动电压下，其导通电阻典型值低至3.7毫欧（@50A），这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为49.1nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关转换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源和电机驱动应用尤为重要。

在接口与参数层面，该器件展现了宽泛的工作适应性。其连续漏极电流在环境温度下为20.9A，而在管壳温度下可高达100A，体现了强大的电流处理潜力。栅源电压最大额定值为±20V，提供了足够的驱动裕量。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。值得注意的是，该产品属于Automotive, AEC-Q101系列，意味着它通过了汽车电子委员会的相关可靠性标准认证，适用于对质量和耐久性要求极高的汽车电子系统。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此型号。

基于上述技术特点，DMTH4005SPSQ-13非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括汽车领域的电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。其低导通电阻和良好的热特性使其在空间受限且散热挑战大的车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统（ADAS）的电源管理中也能发挥出色性能，是实现紧凑、高效、可靠电源解决方案的关键元器件。

• 型号:DMTH4005SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.9A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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