DMTH4007LPS-13

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能功率MOSFET，DMTH4007LPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率的功率转换与开关控制。该器件基于优化的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，在紧凑的封装内集成了卓越的电气性能，其漏源电压（Vdss）额定值为40V，为低压至中压应用提供了可靠的电压裕量。其沟道设计经过精心优化，旨在降低导通损耗，提升整体系统能效。

该MOSFET的功能特点突出体现在其极低的导通电阻上，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.5毫欧。这一关键特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，对于提升电源效率和功率密度至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29.1nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速、干净的开关切换，减少开关损耗并简化驱动电路设计。高达100A的连续漏极电流（Tc条件下）和150W的最大功率耗散能力，使其能够应对高电流脉冲和持续的功率负载。

在接口与关键参数方面，DMTH4007LPS-13提供了宽泛且稳健的工作条件。其栅源电压（Vgs）支持±20V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与常见逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，这种封装形式不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的热设计也有助于将内部结温（TJ）产生的热量高效导出至散热系统，支持在-55°C至175°C的严苛结温范围内稳定工作。对于需要可靠供应链保障的批量项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保正品货源和稳定供应的有效途径。

基于上述技术特性，DMTH4007LPS-13非常适用于对效率和功率密度有较高要求的多种应用场景。它常被用作同步整流电路中的下管或上管开关，在DC-DC转换器、POL（负载点）电源模块中扮演核心角色。此外，其在电机驱动控制、电池保护电路、大电流负载开关以及各类消费电子和工业设备的电源管理单元中，都能凭借其低导通电阻和高电流处理能力，有效提升系统整体性能和可靠性。

• 型号:DMTH4007LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1895 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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