DMTH4007SPS-13

在功率开关应用领域，DMTH4007SPS-13是一款由Diodes Incorporated推出的高性能N沟道功率MOSFET。其核心架构基于先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，采用N通道设计，旨在实现高效率的电流控制与功率转换。该器件构建于优化的半导体工艺之上，确保了在紧凑的封装内实现卓越的电气性能与热管理能力，为设计工程师提供了高可靠性的解决方案。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的导通性能与开关特性上。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为7.6毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统整体效率。同时，器件具备高达40V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕度，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值控制在41.9nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数方面，DMTH4007SPS-13提供了宽泛的工作适应性。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为15.7A，而在管壳温度（Tc）下可高达100A，展现了强大的电流处理能力。器件支持最大±20V的栅源电压（Vgs），增强了栅极驱动的鲁棒性。其采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也实现了出色的热性能，在管壳温度（Tc）下最大功率耗散可达136W。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取此型号产品及相关技术支持。

基于上述技术特性，DMTH4007SPS-13非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）中的理想选择。此外，在电机驱动控制、电池保护电路、负载开关以及各类电源管理模块中，其低导通电阻和快速开关能力都能有效提升系统性能，降低热设计复杂度，是实现紧凑、高效现代电子系统的关键元器件之一。

• 型号:DMTH4007SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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