DMTH4007SPSQ-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMTH4007SPSQ-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于N通道架构，能够在-55°C至175°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的可靠性。其结构优化了载流子迁移路径，结合精密的制造工艺，为低导通损耗和高开关速度奠定了基础。

该器件的显著特性体现在其优异的电气性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.6毫欧（在20A条件下测量），这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为41.9nC（@10V），较低的栅极电荷意味着开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅降低了驱动电路的设计复杂度，也有效提升了开关频率和响应速度，减少了开关损耗。

在接口与关键参数方面，DMTH4007SPSQ-13具备40V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为15.7A，而在管壳温度（Tc）条件下可达100A，展现了强大的电流处理能力。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下高达136W，配合低热阻设计，确保了在高功率密度应用中有效的热量散发。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

基于上述特性，DMTH4007SPSQ-13非常适用于对效率和功率密度有高要求的现代电源管理场景。其主要应用领域包括但不限于同步整流电路、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制、以及各类负载开关。在服务器电源、通信设备、工业自动化设备和便携式电子产品的电源模块中，该器件能够有效提升能效，减小解决方案的尺寸，是实现紧凑、高效电源设计的理想选择。

• 型号:DMTH4007SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.7A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2082 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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