DMTH4008LFDFW-13

作为一款符合汽车级AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，DMTH4008LFDFW-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6UDFN）表面贴装封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率处理单元，其结构设计优化了热传导路径，有助于在严苛环境下维持稳定的工作状态。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与快速开关能力。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至11.5毫欧（@10A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为14.2nC（@10V），较低的栅极电荷意味着所需的驱动能量更小，能够实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，特别适用于高频开关应用。其漏源电压（Vdss）额定值为40V，连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达11.6A，提供了稳健的功率处理能力。

在电气接口与参数方面，DMTH4008LFDFW-13具备宽泛的驱动电压兼容性，其阈值电压Vgs(th)最大为3V，而最大栅源电压（Vgs）支持±20V，为驱动电路设计提供了灵活性。其输入电容（Ciss）在20V条件下最大为1030pF，是评估开关动态特性的关键参数之一。器件的结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，最大功率耗散为990mW，结合其汽车级认证，确保了在高温、振动等恶劣的汽车电子环境中的长期可靠性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取该产品，以保证元器件的正宗来源与技术支持。

基于其高电流能力、低导通电阻、快速开关特性以及AEC-Q101认证，该器件非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的场景。典型应用包括汽车系统中的负载开关、电机驱动、LED照明控制、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及各类便携式设备或工业电源管理模块。其表面贴装形式也顺应了现代电子产品小型化、高密度组装的发展趋势。

• 型号:DMTH4008LFDFW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 现在可以订购DMTH4008LFDFW-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。