DMTH4008LFDFW-7

DMTH4008LFDFW-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与优异的开关性能。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6引脚超薄双扁平无引线）封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率开关单元，其结构优化了电流通路与热传导路径，为高密度电源设计提供了可靠的解决方案。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为11.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为14.2nC @ 10V，结合1030pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为4.5V至10V，同时栅源电压（Vgs）可耐受±20V，提供了良好的设计裕度和抗干扰能力。

在电气参数方面，DMTH4008LFDFW-7具备40V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达11.6A的连续漏极电流。其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用的严苛环境可靠性要求。器件的功率处理能力与热性能通过其990mW的额定功耗和优化的封装热阻得以体现，确保了在高温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及其完整的技术支持。

凭借其高性能与高可靠性，这款MOSFET非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用方向包括汽车系统中的负载开关、电机驱动、电池管理模块（BMS）中的保护电路，以及工业领域的DC-DC转换器、同步整流和低压大电流的电源分配单元。其表面贴装形式也使其成为现代紧凑型消费电子设备中电源管理的理想选择。

• 型号:DMTH4008LFDFW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:990mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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