DMTH4011SPD-13

DMTH4011SPD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI5060封装的40V双N沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，其核心架构基于优化的沟槽工艺技术，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力和开关效率。其设计充分考虑了热管理，封装底部的裸露焊盘极大地优化了散热路径，确保在高功率密度应用中维持稳定的结温。

该芯片具备多项突出的功能特性。其漏源电压(Vdss)额定值为40V，适用于常见的12V至24V总线系统。在导通特性方面，在10V栅极驱动下，导通电阻(RDS(on))典型值低至15毫欧（条件为20A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其最大栅极电荷(Qg)仅为10.6nC，结合805pF的输入电容，意味着极快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，赋予了其出色的环境适应性与可靠性。

在接口与关键参数上，该器件采用表面贴装的8-PowerTDFN封装，极其节省PCB空间。其电流承载能力表现出色，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为11.1A，而在通过封装有效散热（壳温Tc）的条件下，电流能力可高达42A，展现了强大的峰值功率处理潜力。最大功耗在环境温度下为2.6W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其高性能与高可靠性，DMTH4011SPD-13非常适合于要求严苛的汽车电子应用，如电机驱动（风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动以及负载开关。此外，在工业自动化、通信基础设施的电源管理模块、DC-DC转换器的同步整流和负载点(POL)转换中，其低导通电阻和高开关速度的优势也能得到充分发挥，是实现高效率、高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMTH4011SPD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta），42A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:805pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
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