DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用先进的PowerDI5060-8封装，集成了两个独立的N沟道MOSFET，专为在严苛的汽车电子环境中实现高效率和紧凑设计而优化。

其核心架构基于成熟的沟槽技术，实现了极低的导通电阻（RDS(on)），典型值仅为15毫欧（在20A，10V条件下）。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件具备40V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，确保在12V或24V汽车电源系统中稳定可靠地工作。其连续漏极电流在环境温度下可达11.1A，而在管壳温度下更能支持高达42A的电流，展现了强大的电流处理能力。

在动态性能方面，较低的栅极电荷（Qg，最大值10.6nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值805pF @ 20V）是其显著特点。这些参数共同作用，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适用于高频开关应用。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力和驱动兼容性。该器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用表面贴装封装，能够适应汽车应用中的高低温振动环境，并通过2.6W的功率耗散能力有效管理热量。

凭借其双通道、高效率和高可靠性的设计，DMTH4011SPDQ-13非常适合用于需要多路开关或同步整流的场合。典型应用包括电机驱动控制（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流以及电池管理系统（BMS）中的保护电路。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

• 型号:DMTH4011SPDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:40V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.1A（Ta），42A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:805pF @ 20V
• 功率 - 最大值:2.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 现在可以订购DMTH4011SPDQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。