DMTH41M8SPSQ-13

DMTH41M8SPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，构建于优化的功率半导体工艺平台之上，旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡。其核心设计聚焦于提升功率密度和开关效率，内部结构经过精心优化，以降低寄生参数，这对于高频开关应用中的性能表现至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，典型值仅为1.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其高电流承载能力（在特定壳温条件下连续漏极电流高达100A）与40V的漏源击穿电压，使其能够稳健地应对汽车电子环境中常见的负载突降和电压瞬变。栅极电荷（Qg）被控制在79.5nC（@10V）的水平，有助于减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端环境下的可靠性。关键的电气参数，如最大栅源电压为±20V，以及在不同条件下的阈值电压Vgs(th)和输入电容Ciss，均经过严格规定，为设计工程师提供了精确的仿真和设计依据。对于稳定可靠的供货渠道，工程师可以通过官方授权的DIODES代理商获取此型号。

基于其车规级认证和高性能参数，DMTH41M8SPSQ-13非常适用于要求严苛的汽车应用场景。它常被用于电机驱动控制，如电动助力转向（EPS）、风扇/水泵电机驱动；在电源管理领域，可作为同步整流器或负载开关，用于DC-DC转换器（尤其是降压拓扑）；此外，也适用于需要高效率、高电流开关的电池管理系统（BMS）中的放电控制模块。

• 型号:DMTH41M8SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6968 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.03W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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