DMTH43M8LFG-13

DMTH43M8LFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件构建于优化的半导体工艺平台之上，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心设计聚焦于降低功率损耗，通过精细的单元结构和沟道优化，在给定的芯片面积内实现了优异的电流处理能力，同时确保了在高频开关应用中的稳定性。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其Rds(On)典型值仅为3毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其高电流承载能力同样突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达100A，展现了强大的功率处理潜力。栅极电荷Qg（最大值）为40.1nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低驱动电路的功耗并提升开关速度，使其适用于要求高效能转换的应用场景。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

在电气参数方面，DMTH43M8LFG-13的漏源击穿电压（Vdss）为40V，适用于常见的低压电源总线。栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V @ 250A，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由微控制器或标准驱动IC直接或通过简单电路进行控制。其功率耗散能力在壳温条件下高达65.2W，配合PowerDI3333封装优良的热性能，能够有效管理开关过程中的热量。

凭借其高性能参数组合，该器件非常适合用于需要高效率和高功率密度的场合。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑，以及各类负载开关和电源管理单元。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供货保障，确保项目开发的顺利进行与量产稳定性。

• 型号:DMTH43M8LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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