DMTH43M8LFG-7

DMTH43M8LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在极低栅极电荷下的出色开关性能，这对于提升系统整体效率、降低开关损耗至关重要。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至3毫欧（在20A条件下），这一特性使其能够显著降低导通状态下的功率损耗，提升能源转换效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，结合±20V的最大栅源电压，提供了良好的栅极驱动兼容性和鲁棒性。同时，极低的栅极电荷（Qg）最大值仅为40.1nC，意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升高频开关应用的性能。

在电气参数方面，DMTH43M8LFG-7具备40V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达100A（Tc）的连续漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。表面贴装的PowerDI3333-8封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的封装热阻特性也支持高达65.2W（Tc）的功率耗散，为热管理提供了有力保障。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此产品。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和卓越的散热性能，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换、电动工具和无人机的电机驱动控制、以及各类便携式电子设备中的电池保护与电源管理电路，是实现高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMTH43M8LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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