DMTH43M8LFGQ-7

DMTH43M8LFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术，并封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡，通过优化的单元结构和先进的制造工艺，显著降低了导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至3毫欧（@20A），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷仅为40.1nC（@10V），结合较低的输入电容，有助于减少开关过程中的能量损失，并允许使用更小、更快的驱动电路，从而优化开关频率和整体系统动态响应。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和强大的功率处理能力（Tc条件下最大耗散65.2W），确保了在严苛环境下的高可靠性与长期稳定性。

在电气参数方面，DMTH43M8LFGQ-7具备40V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达100A（Tc）的连续漏极电流，为负载提供充足的电流裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准的5V或3.3V逻辑电平兼容性良好，便于驱动。对于需要可靠供应链和专业技术支持的客户，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的有效途径。

凭借其车规级认证、低导通电阻、快速开关特性以及坚固的封装，该MOSFET非常适合应用于对可靠性、效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括汽车电子系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器（尤其是同步整流和开关侧），以及工业电源、电池管理系统（BMS）和便携式设备中的电源管理模块。

• 型号:DMTH43M8LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2798 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.62W（Ta），65.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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