DMTH43M8LK3-13

DMTH43M8LK3-13是一款采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造的N沟道功率器件，其核心架构基于优化的单元设计和沟槽工艺。该器件在硅片层面实现了高密度元胞排布，有效降低了单位面积的导通电阻，同时通过精心的热设计和封装技术，确保了在高功率密度应用中的可靠性与稳定性。其结构设计旨在平衡导通损耗、开关速度和栅极驱动需求，为高效率功率转换提供了坚实的物理基础。

该芯片的显著特性体现在其卓越的电气性能上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至3.6毫欧（@20A），这一极低的导通阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为38.5nC（@10V），较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的栅极噪声容限和驱动灵活性。

在接口与参数方面，DMTH43M8LK3-13采用行业标准的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，便于自动化生产并具有良好的散热能力。其额定漏源电压（Vdss）为40V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达100A，最大功率耗散为88W（Ta）。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要本地化技术支持和稳定供货渠道的设计项目，可以联系DIODES中国代理获取详细资料。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和稳健的封装，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及功率转换级、电机驱动控制模块、大电流负载开关以及各类便携式设备中的电池保护与电源管理电路。它是工程师在构建紧凑、高效、可靠的功率电子系统时的优选功率开关解决方案。

• 型号:DMTH43M8LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 40V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2693 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:88W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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