DMTH6004LPS-13

DMTH6004LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，这一封装结构不仅优化了热性能，通过裸露的散热焊盘实现高效的热传导，还显著减小了PCB占板面积，使其非常适用于空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻与优异的开关性能。在10V驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至2.8毫欧（@25A），这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的整体系统效率。低栅极电荷（Qg）最大值仅为96.3nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，特别有利于高频开关应用，如DC-DC转换器。其宽泛的栅源电压（V_GS）工作范围（±20V）提供了稳健的驱动兼容性。

在电气参数方面，DIODES授权代理提供的技术资料显示，DMTH6004LPS-13具备60V的漏源击穿电压（V_DSS），可承受较高的电压应力。其连续漏极电流在环境温度（T_a）下为22A，而在管壳温度（T_c）下可达100A，展现了强大的电流处理能力。器件支持高达138W（T_c）的功率耗散，结合-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了其在严苛环境下的可靠性与长期稳定性。表面贴装形式便于自动化生产。

基于上述技术特性，DMTH6004LPS-13非常适合应用于对效率和空间有双重要求的场景。其主要应用领域包括服务器、电信设备的高效率同步整流和DC-DC转换电路，以及电机驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关和功率路径管理。在汽车电子领域，如LED照明驱动、辅助电源等低压大电流场合，它也能发挥出色的性能。

• 型号:DMTH6004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），138W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH6004LPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。