DMTH6004SCTBQ-13

作为一款面向严苛应用环境设计的功率开关器件，DMTH6004SCTBQ-13采用了先进的N沟道MOSFET架构，其核心基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件在硅片设计和工艺优化上进行了深度改进，旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能，其沟道结构经过特别优化，能够在高电流下保持稳定的电气特性，为系统提供可靠的功率处理基础。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的低导通电阻表现，在10V驱动电压、100A漏极电流的条件下，其Rds(On)最大值仅为3.4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷Qg（最大值）控制在95.4nC @ 10V，结合4556pF @ 30V的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有助于减少开关损耗并提升高频应用的性能。其栅源电压耐受范围达到±20V，提供了稳健的驱动安全裕度。对于需要稳定供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取此型号，确保产品来源与质量。

在电气参数方面，DMTH6004SCTBQ-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达100A（Tc）的连续漏极电流能力，展现了强大的功率处理潜力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，保证了在极端温度环境下的可靠运行。封装采用了TO-263AB（D2PAK）表面贴装形式，这种封装具有良好的热性能，其最大功率耗散在Tc条件下可达136W，配合4.7W（Ta）的数值，为散热设计提供了清晰的指导，便于集成到高功率密度的PCB布局中。

凭借其AEC-Q101车规认证身份，该器件首要目标市场是汽车电子领域，尤其适用于对可靠性和耐久性要求极高的应用，如电动助力转向（EPS）、电机驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关以及DC-DC转换器。此外，其高性能参数也使其成为工业电源、服务器电源、通信设备电源模块以及各类大电流开关和电机控制项目的理想选择，为工程师在设计高能效、高可靠性功率系统时提供了一个强有力的解决方案。

• 型号:DMTH6004SCTBQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-263
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.4 毫欧 @ 100A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.7W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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