DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，专为要求严苛的汽车电子及高效功率转换应用而设计。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。

其核心架构基于优化的单元设计，实现了极低的导通电阻。在10V驱动电压下，当漏极电流为90A时，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为3.8毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在95.4nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统动态响应更佳。

该器件具备60V的漏源电压（Vdss）额定值和高达100A的连续漏极电流（Id）承载能力（基于壳温Tc），为负载开关、电机控制和DC-DC转换器等应用提供了充足的电压和电流裕量。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了稳健的驱动耐受性。此外，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合180W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在高温环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

在接口与参数方面，其输入电容（Ciss）最大值为4556pF @ 30V，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，这些参数为驱动电路的设计提供了关键依据。其卓越的电气参数和符合汽车级标准的可靠性，使其非常适用于汽车系统中的电动助力转向（EPS）、燃油泵驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及工业领域的服务器电源、大电流DC-DC降压转换器和电机驱动模块等场景，是实现高功率密度和高效率解决方案的理想选择。

• 型号:DMTH6004SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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