DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面MOSFET技术制造，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其优化的单元结构和沟道设计，结合60V的漏源击穿电压（Vdss）额定值，为要求严苛的汽车及工业应用提供了坚固的电气基础，确保了在高压瞬态下的可靠运行。

该MOSFET的一个突出特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压（Vgs）和90A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为3.8毫欧。这一超低的Rds(on)直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在95.4nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，并简化了栅极驱动电路的设计。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和高达180W（Tc）的功率耗散能力，使其能够适应高温、高功率密度的应用环境。

在电气参数方面，该器件在25°C壳温下可连续通过高达100A的漏极电流，展现了强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，提供了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）为4556pF @ 30V，结合其栅极电荷特性，为设计者评估开关动态性能提供了关键依据。该器件采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的装配特性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

凭借其车规级认证、高效率和鲁棒性，DMTH6004SK3Q-13非常适用于汽车电子领域，如电机驱动（电动助力转向、风扇/水泵控制）、负载开关、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的保护电路。此外，在工业电源、电动工具和服务器电源等需要高效率功率转换和控制的场合，它也是一个理想的选择。

• 型号:DMTH6004SK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.9W（Ta），180W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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