DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的N沟道功率晶体管。该器件基于优化的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其结构采用了增强型工艺，在硅片层面进行了精细化处理，以降低导通电阻并提升开关性能，这对于减少导通损耗和开关损耗至关重要，尤其是在高频或大电流应用环境中。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻，在10V驱动电压、50A电流条件下，其Rds(On)最大值仅为3.1毫欧。这一超低的导通电阻直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在95.4nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失。其漏源击穿电压(Vdss)为60V，提供了稳健的电压裕量，而连续漏极电流在壳温(Tc)条件下可达100A，展现出强大的电流处理能力。

在接口与参数方面，该MOSFET采用标准的表面贴装PowerDI5060-8封装，这种封装形式具有良好的热性能和功率处理能力，其最大功率耗散在壳温(Tc)条件下高达167W。器件支持±20V的最大栅源电压，提供了较宽的驱动安全范围。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。宽广的工作结温范围从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品。

得益于其优异的电气特性和坚固的封装，DMTH6004SPS-13非常适用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类电源管理系统中的同步整流和负载开关。其快速开关和低损耗的特性，使其成为提升现代电子设备能效和功率密度的理想选择。

• 型号:DMTH6004SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.1 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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