DMTH6005LFG-13

DMTH6005LFG-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，专为优化功率密度和热管理而设计。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和快速的开关性能，这得益于优化的单元设计和先进的沟槽工艺。该MOSFET的栅极结构经过精心调校，能够在宽泛的驱动电压范围内保持稳定的性能，确保在高效功率转换和开关应用中实现可靠运行。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，适用于多种中压应用场景。在25°C下，其连续漏极电流（Id）额定值为19.7A，脉冲电流能力高达100A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）是关键性能指标，在Vgs=10V，Id=20A的条件下，最大值仅为4.1毫欧，这一极低的Rds(On)值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性方面，其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V @ 250A，而驱动电压范围（最大RdsOn，最小RdsOn）为4.5V至10V，兼容标准的逻辑电平驱动，便于电路设计。栅极电荷（Qg）最大值仅为48.7nC @ 10V，结合输入电容（Ciss）最大值为3150pF @ 30V，共同确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与参数方面，该MOSFET的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动裕量。其工作结温（TJ）范围宽广，为-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。功率耗散能力与环境温度密切相关，在15°C至35°C的典型环境温度范围内能发挥最佳性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

基于其优异的性能参数，DMTH6005LFG-13非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载开关）、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及各类电源管理单元。其紧凑的PowerDI3333-8封装和出色的热性能，使其成为空间受限的现代电子设备，如服务器、通信基础设施、工业自动化设备和消费类电子产品的理想选择。

• 型号:DMTH6005LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 19.7A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.25V ~ 4.75V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:59°F ~ 95°F（15°C ~ 35°C）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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