DMTH6005LPS-13

DMTH6005LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件采用优化的单元结构，在紧凑的PowerDI5060-8封装内实现了优异的电流处理能力和热性能平衡。其60V的漏源击穿电压（Vdss）为设计提供了充足的电压裕量，确保了在常见24V或48V总线系统中的稳定性和可靠性。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和50A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为5.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在47.1nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，从而降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为4.5V至10V，且最大栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了驱动的便利性和鲁棒性。

在电气参数方面，DMTH6005LPS-13在25°C环境温度（Ta）下的连续漏极电流（Id）为20.6A，而在管壳温度（Tc）条件下可达100A，展现了其强大的电流承载潜力。其最大功耗在Tc条件下高达150W，配合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够适应苛刻的热环境。表面贴装的PowerDI5060-8封装具有极低的热阻，有效提升了散热能力，确保器件在高功率密度应用中稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗与供货稳定的重要途径。

基于其高性能参数组合，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和负载开关、电机驱动控制（如电动工具、无人机）、锂电池保护电路以及各类高效的电源管理系统。其优异的开关特性与热性能使其成为现代高频率、高效率功率转换设计的理想选择。

• 型号:DMTH6005LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20.6A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2962 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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