DMTH6006LPSW-13

DMTH6006LPSW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI 5x6封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其优化的单元结构有效降低了栅极电荷（Qg）和输出电荷（Qoss），这对于高频开关应用中的效率提升至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在Vgs=10V、Id=20A的条件下，典型值仅为6.5mΩ。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效并减少热耗散。同时，其较低的栅极电荷（典型值34.9nC @ 10V）意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅简化了栅极驱动设计，也使得器件能够在更高的开关频率下高效工作，从而减小外围无源元件的尺寸。

在电气参数方面，DMTH6006LPSW-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss），可承受高达100A的脉冲漏极电流（Id_pulse），而其连续漏极电流（Id）在特定散热条件下可达17.2A。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，配合±20V的最大栅源电压，提供了宽裕且稳健的驱动窗口。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品。

凭借其优异的性能组合，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用方向包括直流-直流转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其表面贴装的PowerDI 5x6封装具有优异的热性能，有助于将芯片产生的热量高效导出至PCB，是实现紧凑型高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMTH6006LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6W（Ta），29.4W（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2162 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70 @ 10mA，5V / 50 @ 10mA，5V
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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