DMTH6009LK3-13

DMTH6009LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，在TO-252（DPAK）紧凑型表面贴装封装内实现了优异的性能平衡。该器件采用成熟的金属氧化物半导体工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，其沟道设计旨在降低导通电阻并优化开关特性，为高效率功率转换提供了坚实的基础。

该器件在电气性能上表现出显著优势。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够满足多种中压应用场景的需求。导通电阻（Rds(On)）是关键指标，在Vgs=10V、Id=13.5A的条件下，其最大值仅为10毫欧，这意味着在导通状态下产生的功耗极低，有助于提升系统整体效率并简化热管理设计。栅极电荷（Qg）最大值仅为33.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），使得开关速度快，驱动损耗小，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该MOSFET设计灵活。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，并支持低至4.5V的驱动以优化导通电阻，这为不同逻辑电平的控制器提供了便利。其最大连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为14.2A，而在管壳温度（Tc）条件下可达59A，展现了强大的电流处理能力。器件最大结温高达175°C，工作温度范围从-55°C延伸至175°C，确保了在苛刻环境下的鲁棒性。其封装为行业标准的TO-252，便于自动化贴装和焊接。对于需要可靠供应链保障的批量项目，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

基于其优异的性能组合，DMTH6009LK3-13非常适合应用于需要高效率和高功率密度的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、锂电池保护板以及各类电源管理模块。其低导通电阻和高电流能力使其成为负载开关和OR-ing（冗余电源）电路的理想选择，能够有效降低系统能耗，提升终端产品的续航和可靠性。

• 型号:DMTH6009LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14.2A（Ta），59A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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