DMTH6009LPSQ-13

Diodes Incorporated推出的DMTH6009LPSQ-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在提供高功率处理能力的同时，优化了PCB空间占用，非常适合高密度布局的现代电子系统。其结构经过精心优化，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，符合严苛的汽车电子应用标准。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气参数。仅10毫欧（@10V，20A）的最大导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，最大33.5nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其60V的漏源击穿电压（Vdss）提供了充足的电压裕量，确保在常见12V、24V乃至48V总线系统中的稳定运行。

在接口与参数方面，DMTH6009LPSQ-13支持宽泛的栅极驱动电压，标准驱动电平为10V，并在4.5V时即可提供良好的导通特性，兼容多种控制器。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为11.76A，在壳温（Tc）下高达89.5A，展现了强大的电流处理能力。器件结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至175°C，并具备高达136W（Tc）的功率耗散能力，保证了在恶劣环境下的鲁棒性。如需获取官方技术支持和正品供应，可通过DIODES授权代理进行咨询与采购。

基于其AEC-Q101认证和强大的性能，该器件主要面向要求高可靠性与高效率的汽车电子应用，如电机驱动（车窗、雨刷、风扇）、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。此外，在工业电源、电动工具和通信设备的电源模块中，它也是实现高效功率转换的理想选择。

• 型号:DMTH6009LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.76A（Ta），89.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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