DMTH6010LPS-13

DMTH6010LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度的平衡。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，这一封装技术不仅优化了热性能，还显著减小了PCB占板面积，使其成为空间受限应用的理想选择。其内部架构经过精心优化，沟道电阻极低，从而在导通时能够有效降低功率损耗，提升整体系统的能源转换效率。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕度，增强了系统在瞬态电压下的可靠性。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为8毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在41.3nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的损耗，特别适合高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动电路。

在电气参数方面，DMTH6010LPS-13支持宽泛的栅极驱动电压范围（最大±20V），并与标准逻辑电平兼容（典型阈值电压Vgs(th)为3V），设计灵活性高。其连续漏极电流在环境温度25°C下额定为13.5A，而在借助封装良好散热（壳温Tc条件下）时，电流承载能力可显著提升至100A，展现了强大的峰值电流处理能力。器件的工作结温范围高达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号产品及相关技术支持。

基于其优异的性能组合，该器件主要面向需要高效率电源管理的应用场景。它非常适合用作同步整流器、负载开关或电机控制电路中的主开关管，广泛应用于服务器/通信设备的DC-DC电源模块、电动工具、无人机电调以及各类工业自动化设备的功率转换单元中。其表面贴装形式便于自动化生产，有助于提升最终产品的制造效率和一致性。

• 型号:DMTH6010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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