DMTH6010LPSW-13

DMTH6010LPSW-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术。该器件构建于优化的垂直架构之上，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其核心设计重点在于降低功率损耗，通过精细的单元结构和沟道工艺，在提供高达60V漏源电压（Vdss）耐受能力的同时，有效控制了寄生电容参数，为高效率电源转换和电机驱动应用奠定了硬件基础。

该器件的性能表现突出体现在其优异的导通特性上。在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧（在20A条件下测量），这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为41.3nC @ 10V，结合2090pF @ 30V的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，从而显著降低开关损耗。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与主流逻辑电平控制器良好的兼容性和抗干扰能力。

在电气参数与接口方面，DMTH6010LPSW-13在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为15.5A，并能在脉冲条件下承受高达80A的电流，展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C（TJ），确保了在严苛环境下的可靠运行。器件采用表面贴装型封装，符合现代自动化生产要求。其功率耗散能力在环境温度（Ta）下为2.9W，在管壳温度（Tc）下可达75W，为散热设计提供了灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

基于上述技术特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：DC-DC转换器中的同步整流和开关管，特别是用于计算设备、通信基础设施的电源模块；电机驱动与控制电路，如无人机电调、小型工业电机驱动器；以及各类需要高效功率开关的消费电子产品和汽车辅助系统。其优异的性能组合使其成为工程师在设计中实现高效率、高可靠性功率管理的优选器件。

• 型号:DMTH6010LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):269pF @ 10V
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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