DMTH6010SPS-13

DMTH6010SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI5060-8封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与卓越的开关性能的平衡。其紧凑的PowerDI5060封装不仅优化了PCB空间占用，更通过增强的热性能设计，为高功率密度应用提供了可靠的解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气参数。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至8毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为38.1nC，结合2841pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关转换，有助于降低开关损耗并提升高频工作能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了稳健的驱动兼容性。

在接口与参数方面，DMTH6010SPS-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为设计提供了充足的安全裕量。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为13.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可达100A，展现了强大的峰值电流承载潜力。其最大功率耗散在管壳温度条件下高达167W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取此产品。

凭借上述特性，该器件非常适合要求高效率和高可靠性的功率转换与电机控制应用。其主要应用场景包括但不限于DC-DC转换器（尤其是同步整流和负载开关）、电机驱动模块、电池管理系统（BMS）以及各类工业电源。其表面贴装（SMT）形式也完全适配现代自动化生产流程，是实现紧凑、高效功率设计的理想选择。

• 型号:DMTH6010SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2841 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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