DMTH6012LPSW-13

Diodes Incorporated推出的DMTH6012LPSW-13是一款采用先进PowerDI 5x6封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心优势在于通过优化的单元结构和沟道设计，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。这种架构使得芯片在承受高达60V漏源电压的同时，能够高效处理大电流，其结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压下典型值仅为14毫欧（于20A条件下），这意味着在导通状态下的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在13.6nC（@10V），结合785pF的输入电容，共同构成了快速的开关特性，能有效降低开关损耗并允许更高频率的操作，这对于提升电源转换器和电机驱动电路的性能至关重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，与标准逻辑电平兼容性好，便于驱动电路设计。

在接口与参数方面，DMTH6012LPSW-13设计为表面贴装型，采用热性能优异的PowerDI 5x6封装，有利于散热并节省PCB空间。其驱动电压范围宽，最大栅源电压为±20V，提供了设计裕度。其连续漏极电流能力强劲，配合低至4.5V即可获得较低导通电阻的驱动特性，使其既能用于传统的12V/24V系统，也能适应新兴的、对效率要求极高的低电压大电流应用。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供货保障。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关和优异的散热封装，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关管、电机驱动控制电路（如电动工具、无人机电调）、锂离子电池保护板以及各类服务器、通信设备的电源管理单元。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率电子系统时的理想选择。

• 型号:DMTH6012LPSW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.22V @ 15V，75A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78689-0001
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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