DMTH6012LPSWQ-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级功率器件，DMTH6012LPSWQ-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能，通过优化的单元设计和封装工艺，在紧凑的PowerDI 5x6封装内集成了强大的电流处理能力，为高密度、高效率的电源与电机驱动方案提供了可靠的基础。

该器件在电气性能上表现突出，其漏源电压（Vdss）高达60V，能够从容应对汽车电子环境中常见的电压波动与瞬态冲击。导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下典型值仅为11.5毫欧，这一关键参数确保了在高达50.5A的脉冲电流下，器件的传导损耗被降至极低水平，从而显著提升系统整体效率并减少热管理压力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为13.6nC，结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关速度极快，开关损耗小，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，DIODES芯片代理提供的这款器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电平为10V，同时兼容4.5V的逻辑电平驱动，为设计提供了灵活性。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，提供了良好的噪声抑制能力。器件采用表面贴装型PowerDI 5x6封装，具有良好的散热性能和机械强度，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足严苛的汽车级应用环境要求，确保在高温、高振动场景下的长期可靠性。

基于其优异的性能与可靠性，DMTH6012LPSWQ-13主要面向要求严苛的汽车电子与工业控制领域。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和开关管、电机驱动桥臂（如电动助力转向EPS、散热风扇、泵控）、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及各类需要高效功率切换的电源模块。其汽车级认证使其成为引擎控制单元（ECU）、车载充电器（OBC）和LED驱动等系统中功率路径管理的理想选择。

• 型号:DMTH6012LPSWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.22V @ 15V，75A
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:785 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:78689-0001
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:Accelerometer，3 Axis，Impact
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH6012LPSWQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。