DMTH6016LFDFW-13

DMTH6016LFDFW-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6引脚，2.0mm x 2.0mm）封装，专为在严苛的汽车电子和工业环境中实现高功率密度和可靠运行而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，旨在提供出色的开关性能和导通效率。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V Vgs和10A Id条件下，典型值仅为18毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15.3nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。

在电气参数方面，DMTH6016LFDFW-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss），确保其在常见的12V和24V汽车电源系统中留有充足的余量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为9.4A，能够处理可观的负载电流。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平或微控制器GPIO端口兼容性良好，便于驱动。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，完全满足汽车级应用对极端温度稳定性的要求。

凭借其高可靠性、高效率和小尺寸，该器件非常适合用于对空间和性能有严格要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、负载开关以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。在工业自动化、电源管理和便携式设备中，它也是实现高效功率控制的理想选择。如需获取该产品的技术支持、样品或批量采购，可通过官方DIODES授权代理渠道进行咨询。

• 型号:DMTH6016LFDFW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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