DMTH6016LFDFW-7

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率器件，DMTH6016LFDFW-7采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件在高达175°C的结温下仍能稳定工作，其金属氧化物半导体结构确保了在严苛的汽车电子环境中具备出色的可靠性与耐久性。

在电气性能方面，该MOSFET展现出显著的优势。其最大漏源电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）在25°C下可达9.4A，为中等功率应用提供了充足的裕量。尤为关键的是，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至18毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Qg）仅为15.3nC，配合925pF的典型输入电容（Ciss），共同决定了其优异的开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。

该器件的接口与控制特性同样经过精心设计。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与主流逻辑电平控制器的良好兼容性。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了稳健的驱动保护。器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6UDFN）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也有利于功率耗散，在环境温度（Ta）下最大功耗为1.06W。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

基于其稳健的电气参数和车规级认证，DMTH6016LFDFW-7非常适用于对可靠性和效率有高要求的场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、负载开关以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其同样能胜任工业控制、电源管理和便携式设备中的功率管理任务，是工程师设计高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 型号:DMTH6016LFDFW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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