DMTH6016LFDFWQ-13

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率器件，DMTH6016LFDFWQ-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。这种设计在确保60V高漏源电压（Vdss）耐受能力的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而实现了高效率与低损耗的平衡。其结温（TJ）范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛的汽车电子环境下的可靠性与长期稳定性。

该器件在功能上表现出色，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs驱动下仅为18毫欧（典型值），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。配合最大9.4A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够胜任中高功率的开关与控制任务。其栅极驱动特性优良，阈值电压（Vgs(th)）最大为3V，且栅极总电荷（Qg）较低，这有助于简化驱动电路设计，并实现快速开关，减少开关损耗，这对于高频应用尤为重要。

在接口与关键参数方面，DIODES授权代理可提供全面的技术支持。器件采用紧凑的U-DFN2020-6（6UDFN）表面贴装封装，非常适合高密度PCB布局。其输入电容（Ciss）典型值较低，进一步优化了开关性能。最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的驱动安全裕量。其功率耗散能力与低热阻封装相结合，确保了良好的热管理性能。

基于其车规级认证、优异的电气性能及紧凑封装，DMTH6016LFDFWQ-13非常适合应用于要求高可靠性和高效率的领域。典型应用包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或功率开关，以及工业电源管理、电池保护电路等。在这些场景中，它能够有效提升功率密度和系统可靠性，是工程师设计下一代高效能电子系统的理想选择。

• 型号:DMTH6016LFDFWQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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