DMTH6016LFDFWQ-7

作为一款面向严苛应用环境的功率开关器件，DMTH6016LFDFWQ-7采用了先进的N沟道MOSFET架构，其核心基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术。该器件设计用于在高达60V的漏源电压下稳定工作，其优化的沟道与封装设计确保了在高温环境下仍能保持出色的电气性能与可靠性，结温范围覆盖-55°C至175°C，满足汽车级应用对温度耐受性的苛刻要求。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关效率。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至18毫欧（@10A），这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为15.3nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着器件具备快速的开关响应能力，有助于降低开关过程中的功率损耗，并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数与接口方面，DIODES一级代理提供的这款器件标称连续漏极电流（Id）可达9.4A，并支持高达±20V的栅源电压，为驱动电路提供了充足的裕量。其采用紧凑的U-DFN2020-6（6引脚超薄型双扁平无引线）表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也有助于改善热性能，最大功率耗散为1.06W。这些参数共同构成了一个在性能、尺寸与可靠性之间取得卓越平衡的解决方案。

凭借其汽车级AEC-Q101认证的资质，DMTH6016LFDFWQ-7非常适用于需要高可靠性和长寿命的汽车电子系统，如电机驱动（车窗、雨刷、风扇）、负载开关、电池管理系统（BMS）中的保护电路以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。此外，其在工业自动化、电源管理和便携式设备中的功率路径管理等领域，同样能发挥其高效、紧凑和可靠的优势。

• 型号:DMTH6016LFDFWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.06W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（SWP）（F 型）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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