DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，专为要求高可靠性和高效率的汽车及工业应用而设计。该器件采用紧凑的PowerDI5060-8封装，在提供卓越电气性能的同时，实现了优异的功率密度和热管理能力。

其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至16毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为17nC @ 10V，有助于降低开关损耗，并简化驱动电路设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss），为负载突降等瞬态电压提供了充足的裕量，确保了系统的稳健性。

在功能特性上，DMTH6016LPSQ-13展现了出色的电流处理能力，在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为9.8A，而在管壳温度（Tc）下可达37A，使其能够胜任大电流开关任务。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V @ 250A，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动器直接驱动。此外，其工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境温度挑战。如需获取详细的技术支持或采购信息，可以咨询官方授权的DIODES代理。

从接口与参数来看，该MOSFET采用表面贴装形式，PowerDI5060-8封装具有极低的热阻，有助于将芯片产生的热量高效地传导至PCB，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达37.5W。其输入电容（Ciss）最大值为864pF @ 30V，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了良好的抗栅极噪声干扰能力。

在应用场景方面，凭借其AEC-Q101认证和强大的电气性能，DMTH6016LPSQ-13非常适合用于汽车电子模块，如电动助力转向（EPS）、燃油泵/水泵控制、LED照明驱动以及车身控制模块（BCM）中的高边/低边开关。同时，在工业自动化、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等需要高效率、高可靠功率开关的场合，它也是一个理想的选择。

• 型号:DMTH6016LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.8A（Ta），37A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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