DMTH6016LSD-13

DMTH6016LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道MOSFET阵列。该器件采用先进的沟槽工艺技术制造，集成了两个性能一致的独立MOSFET于一个紧凑的8-SOIC封装内，旨在为空间受限的汽车电子和工业应用提供高密度、高效率的功率开关解决方案。

该芯片的核心优势在于其优异的导通性能与快速开关特性的平衡。在25°C环境温度下，每个通道可连续通过高达7.6A的漏极电流。其导通电阻（RDS(on)）在10V栅极驱动电压和10A漏极电流条件下，最大值仅为19.5毫欧，这意味着在导通状态下具有极低的功率损耗，能显著提升系统整体能效并减少发热。同时，其栅极阈值电压（VGS(th)）最大值为2.5V，确保了与主流微控制器和逻辑电路的兼容性，便于驱动。

在动态特性方面，DMTH6016LSD-13表现出色。其最大栅极电荷（Qg）在10V条件下仅为17nC，结合最大输入电容（Ciss）为864pF @ 30V，这些参数共同决定了其具备快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频PWM（脉宽调制）控制场景。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，完全满足汽车电子严苛的环境可靠性要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

该器件采用表面贴装型8-SOIC封装，便于自动化生产，并节省PCB板空间。其典型应用场景广泛，包括但不限于汽车车身控制模块（BCM）中的负载驱动（如车窗升降器、座椅调节、LED照明驱动）、电机预驱动器、电池管理系统（BMS）中的保护开关，以及工业自动化中的低压大电流开关和电源管理单元。凭借其双通道集成设计、汽车级认证和卓越的电气性能，DMTH6016LSD-13为工程师设计高可靠性、高效率的功率控制系统提供了理想的核心元件。

• 型号:DMTH6016LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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