DMTH61M8LPS-13

DMTH61M8LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件构建于优化的垂直沟道架构之上，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计平衡了沟道密度与单元间距，有效降低了导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这对于提升功率转换效率、减少热损耗至关重要，尤其在高频开关应用中表现显著。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电流处理能力和极低的导通阻抗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流高达225A，而在10V栅极驱动电压、30A漏极电流时，导通电阻典型值仅为1.6毫欧。这种低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压最大值为3V，并支持4.5V至10V的标准逻辑电平驱动，兼容性良好，易于被现代数字控制器或驱动器所控制。其栅极电荷（Qg）最大值控制在115.5nC，有助于降低开关损耗，实现更快的开关速度。

在电气参数方面，DMTH61M8LPS-13的漏源击穿电压（Vdss）为60V，为48V及以下总线电压应用提供了充足的安全裕量。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，增强了抗栅极电压尖峰的能力，提升了系统可靠性。器件采用表面贴装型PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其结壳热阻低，允许在高达187.5W（Tc）的功率耗散下稳定工作，工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取此产品及相关服务。

凭借高电流、低阻抗和快速开关的特性，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块、工业电源、电机驱动控制器以及电动工具和电池管理系统中的负载开关与保护电路。其强大的性能使其成为处理大电流、追求极致效率的现代电力电子设计的理想选择。

• 型号:DMTH61M8LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):225A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8320 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），187.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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